真(zhen)空(kong)產品(pin)生產廠家、真(zhen)空(kong)行業的(de)(de)(de)科(ke)技工(gong)(gong)作(zuo)者每時每刻都應該掌握自(zi)(zi)己(ji)工(gong)(gong)作(zuo)領域內最近、最新(xin)的(de)(de)(de)學術動態(tai)，研究自(zi)(zi)己(ji)工(gong)(gong)作(zuo)范圍內的(de)(de)(de)前沿(yan)課題，以便給自(zi)(zi)己(ji)定位，確定自(zi)(zi)己(ji)的(de)(de)(de)對策，找(zhao)出自(zi)(zi)己(ji)前進(jin)的(de)(de)(de)方(fang)向，積(ji)極參加市(shi)場競爭，不斷改革創新(xin)，才(cai)能立于不敗之地。尤(you)其是我(wo)國加入WTO之后，真(zhen)空(kong)科(ke)技工(gong)(gong)作(zuo)者的(de)(de)(de)目光應該更(geng)遠大(da)，獲取科(ke)技信(xin)息就顯(xian)得更(geng)為重要，它是企業存在的(de)(de)(de)保障，是科(ke)技工(gong)(gong)作(zuo)者的(de)(de)(de)生命線。

1、真空泵

真空(kong)泵(beng)的種類(lei)很多，可按下表進行分類(lei)。

真空(kong)泵的前(qian)沿課題(ti)主要有：①號稱21世紀綠色真空(kong)泵的各種無油泵（干泵）的研制；②噴射泵、擴散泵的理論研究與(yu)設(she)計(ji)計(ji)算；③探索創新泵的工作原理，研制新型泵。

2、真空計量

　　真空計量(liang)目前研究(jiu)的主要內容有：

　　①真空度(全(quan)壓力)測量(liang)與校準；

　　②真(zhen)空質譜分析，分壓力的測(ce)量(liang)與校準；

　　③氣(qi)體(ti)微流量(liang)(漏率)的測量(liang)與(yu)校準；

　　④材料放氣(qi)率的測量(liang)；

　　⑤真空泵抽速測量。

真空計量研究的前沿(yan)課題可歸納為：

　　①研究非(fei)(fei)平衡(heng)態(tai)分子(zi)流理論，非(fei)(fei)平衡(heng)態(tai)分子(zi)流校準(zhun)系統，超音速(su)分子(zi)流校準(zhun)系統，為空(kong)(kong)間真空(kong)(kong)測量和校準(zhun)解決(jue)難題；

　　②研(yan)究微小漏氣率測量、校準技(ji)術(shu)；

　　③研究(jiu)解決極高(gao)真(zhen)空的測量、校準問題，尋找新的測量理論；

　　④研究材(cai)料微量放(fang)氣(qi)率測(ce)量與(yu)放(fang)氣(qi)成分(fen)分(fen)析(xi)技術

　　⑤研(yan)究(jiu)解決擴散泵返(fan)油率(lv)的測量問題，尋找(zhao)新(xin)的測量方法。

3、真(zhen)空(kong)鍍膜

　　真(zhen)空(kong)鍍膜(mo)是真(zhen)空(kong)科(ke)學技(ji)術(shu)領(ling)域中最活躍的(de)(de)一門應用技(ji)術(shu)，它涉及到鍍膜(mo)設備、工藝、膜(mo)材(cai)、靶材(cai)等諸(zhu)多(duo)方面，薄膜(mo)的(de)(de)種類很(hen)多(duo)，這里只能簡單論述其中的(de)(de)一部分(fen)。

3.1、硬質薄膜

　　自然(ran)界中金剛石最硬，立方氮化硼第二，碳化硼第三。

　　①金(jin)剛石膜(mo)(CVD法生產(chan)): 熱絲CVD法金(jin)剛石膜(mo)沉積(ji)速率(lv)可達 2.5μm/h，HV40~50GPa；

　　②B4C 碳化硼：用磁控(kong)濺(jian)射(she)法生產，高溫熱穩(wen)定性好，1100℃以上(shang)，它是最硬材料，HV50.4gPa；

　　③復合膜(mo)(mo)(mo)：TiN-第1代(dai)(dai)(dai)；TiCN、TiAlN--第二代(dai)(dai)(dai); 第三代(dai)(dai)(dai)是多(duo)組元復合膜(mo)(mo)(mo)和多(duo)層(ceng)膜(mo)(mo)(mo)體系;TiN/TiCN、TiN/NbN、TiN/TiAlN、TiN/CrN、TaN/NbN(氮(dan)化鉭(tan)/氮(dan)化鈮)，HV55.6GPa，發展(zhan)成多(duo)層(ceng)納米梯度膜(mo)(mo)(mo)- TiAl、TiAl1、TiAl2、ZrN(氮(dan)化鋯)。發展(zhan)方向：提高膜(mo)(mo)(mo)的(de)韌性、耐(nai)磨性、耐(nai)熱(re)性、耐(nai)蝕性。

3.2、金剛(gang)石涂層刀具

研究方向：①提(ti)高金(jin)剛石(shi)涂層與(yu)基體(ti)之間附著力(li)，設計(ji)中(zhong)間過(guo)渡層，開發(fa)多涂層刀(dao)具; ②增大沉積(ji)面積(ji)，提(ti)高生長速率(lv); ③研究PVD法金(jin)剛石(shi)涂層理論(lun)和工藝。

3.3、光、電、 磁各種功能膜

　　這些功能(neng)膜種類繁(fan)多，性能(neng)各異，這里僅舉部分例證(zheng)。

　　①發光(guang)薄膜：Y2O3:Eu(尿素D溶(rong)液法(fa))Eu(射頻濺射法(fa));

　　②冷光(guang)膜- 可見光(guang)區高反射，紅(hong)外光(guang)區高透射，實現冷光(guang)照(zhao)射，達到保(bao)護被照(zhao)物目(mu)的(de);

　　③有(you)機光電薄膜(mo)(mo)：金(jin)屬酞(tai)菁膜(mo)(mo)：CuPc-PbPc;CuPc/ZnS; 酞(tai)菁氧鈦具有(you)極(ji)高光敏系數;

　　④光(guang)電功能復合膜- Ag-Au-SiO2，Ag-BaO，Ag-SiO2,Ag-MgF2，其中Ag-MgF2納米(mi)金(jin)屬陶瓷薄膜具有光(guang)吸(xi)收(shou)特性，Ag-BaO具有光(guang)電發射特性；

　　⑤透明導電膜：ITO(In2O3:Sn),ZAO(ZnO:Al)，IMO(In2O3:Mo);

　　⑥光致(zhi)變色薄膜(mo)：18烷基取代螺吡喃薄膜(mo)(SP-18),在(zai)紫外光照(zhao)下變色，在(zai)可見光照(zhao)下恢(hui)復無色，可用于光信息存(cun)儲、光控開關等(deng)；

　　⑦磁(ci)光記(ji)錄薄膜：PbFeCo(鉛鐵鈷);

　　⑧超(chao)大規模集(ji)成電路(VLSI)： 在Si基(ji)片上濺(jian)射Cu或Al，實(shi)現(xian)多層布(bu)線;

　　⑨半導體(ti)膜：SiC、ZnO；

　　⑩其它(ta)光電(dian)磁(ci)等(deng)特性功(gong)能膜：

　　LiF、CaF2用于(yu)平面(mian)型場發射顯示器;

　　Fe/Cr多(duo)層(ceng)膜有巨磁電阻(GMR) ;

　　Fe=SiO2膜具有隧道磁電阻效應(TMR);

　　TiO2膜具有(you)優良的介電、壓電、氣(qi)敏(min)和光催化功(gong)能;

　　Cu-SCN-Al(有(you)機絡(luo)和物)有(you)極性記憶效(xiao)應;

　　三乙胺- 四氰-P-醌二甲烷(TEA(TCNQ)2)單(dan)晶是一種可以用來進行高密度信息存儲的有機復合材料;

　　YBCO屬高(gao)溫超導(HTS)膜(mo)。

3.4、裝飾膜

　　研究(jiu)(jiu)方向(xiang)：①對(dui)薄膜材(cai)料的(de)研究(jiu)(jiu)正向(xiang)復(fu)合化、 多種類、高性能(neng)、新(xin)工藝方向(xiang)發展②研究(jiu)(jiu)復(fu)合膜的(de)設計、性能(neng)檢測、制(zhi)備方法; ③研究(jiu)(jiu)薄膜應(ying)力( 牢固(gu)度) ;④研究(jiu)(jiu)大面積(ji)靶材(cai)制(zhi)作(zuo)技術，提(ti)高靶材(cai)利用率。

3.5、前(qian)沿課題(ti)

　　①發現具(ju)有新特(te)性的新的膜層(ceng)材料;

　　②設計具有特殊功能的(de)(de)新(xin)的(de)(de)膜系(復(fu)合膜);

　　③發(fa)展(zhan)高科技產業，例如(ru)集成(cheng)電路產業，信息存(cun)儲產業，平(ping)面顯(xian)(xian)示器產業，包括液(ye)晶(jing)顯(xian)(xian)示器(LCD)，等離子體顯(xian)(xian)示器(PDP)， 場致發(fa)射顯(xian)(xian)示器(EL)；

　　④深(shen)入膜層結構與特性關系等理論(lun)研究。